第三章章末测评 (时间：90分钟 分值：100分) 一、选择题(本题共12小题，每小题4分，共48分．在每小题给出的四个选项中，第1～7题只有一项符合题目要求，第8～12 题有多项符合题目要求，全部选对的得4分，选对但不全的得2分，有选错的得0分) 1．用安培提出的分子电流假说可以解释下列哪些现象( ) A．通电螺线管的磁场 B．直线电流的磁场 C．环形电流的磁场 D．软铁棒被磁化的磁场 2.如图，金属杆ab的质量为m，通过的电流为I，处在磁感应强度为B的匀强磁场中，平行导轨间的距离为L，结果ab静止且紧压于水平导轨上．若磁场方向与导轨平面成θ角，金属杆ab与水平导轨间的动摩擦因数为μ，则以下说法正确的是( ) A．金属杆ab所受的安培力大小为BILsin θ B．金属杆ab所受的安培力大小为BILcos θ C．金属杆ab所受的摩擦力大小为BILsin θ D．金属杆ab所受的摩擦力大小为μmg 3.如图所示，两个相同的带电粒子，不计重力，同时从A孔沿AD方向射入一正方形空腔中，空腔中有垂直纸面向里的匀强磁场，两粒子的运动轨迹分别为a和b，则两粒子的速率和在空腔中运动的时间的关系是( ) A．va＝vb，tatb C．va>vb，ta
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