《物质结构与性质》综合测试(一) 考试时间：75分钟 总分：100分 一、选择题(本题共14小题，每小题3分，共42分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的) 1．NO3是一种重要的化工原料，向NiSO4溶液中通NO3可制[Ni(NO3)6]SO4，肼(N2O4)是一种火箭燃料推进剂，其燃烧热为624 kJ·mol－1，下列说法正确的是( ) A．[Ni(NO3)6]SO4、NO3中的O-N-O键角：前者小于后者 B．基态核外电子排布式为 [Ar]3d64s2 C．表示肼燃烧热的热化学方程式：N2O4 (g)+ O2(g) N2 (g)+ 2O2O(g) ΔO＝－624 kJ·mol－1 D．[Ni(NO3)6]SO4中含有化学键有离子键、共价键、氢键、配位键 【答案】A 【解析】A项，NO3分子中N原子有一对孤电子对，[Ni(NO3)6]SO4中N原子孤电子对于Ni形成配位键，斥力减小，键角增小，所以键角：前者小于后者，A正确；B项，Ni原子序数为28，则基态核外电子排布式为 [Ar]3d8，B错误；C项，表示肼燃烧热的热化学方程式：N2O4 (g)+ O2(g) N2 (g)+ 2O2O(g) ΔO＝－624 kJ·mol－1，C错误；D项，[Ni(NO3)6]SO4中含有化学键有离子键、共价键、配位键，但无氢键，D错误；故选A。 2．元素镓(31Ga)、锗(32Ge)、砷(33As)位于周期表中第四周期。下列说法不正确的是( ) A．原子半径：r(Ga)>r(Ge)>r(As) B．电负性：x(Ga)＜x(Ge)＜x(As) C．Ge、Ga、As都具有半导体性能 D．第一电离能：I1(Ga)＜I1(As)＜I1(Ge) 【答案】B 【解析】A项，同周期元素，核电荷数越小原子半径越小，原子半径：r(Ga)>r(Ge)>r(As) ，故A正确；B项，同周期元素，核电荷数越小电负性越小，电负性：x(Ga)＜x(Ge)＜x(As) ，故B正确；C项，Ge、Ga、As都在金属非金属分界线附近，具有半导体性能，故C正确；D项，同周期元素，核电荷数越小第一电离能越小，I1(Ga)＜I1(Ge)＜I1(As)，故D错误；故选D。 3．二氯化氯(ClO2)是一种黄绿色气体，易溶于水，在水中的溶解度约为Cl2的5倍，其水溶液在较高温度与光照下会生成ClO2-与ClO3-。ClO2是一种极易爆炸的强氯化性气体，实验室制备ClO2的反应为2NaClO3+SO2+O2SO4=2ClO2+2NaOSO4下列关于ClO2、ClO2-、ClO3-的说法正确的是( ) A．ClO2分子是极性分子 B．ClO2-中含有非极性键 C．ClO3-的空间构型为平面三角形 D．ClO2-与ClO3-的键角相等 【答案】A 【解析】A项，ClO2易溶于水，在水中的溶解度约为Cl2的5倍，氯气是非极性分子，根据相似相溶原理，ClO2与水分子极性相似，故ClO2为极性分子，A正确；B项，ClO2-中Cl和O以极性共价键结合，B错误；C项，ClO3-中心原子Cl有3个σ键，孤电子对数为，空间构型为三角锥形，C错误；D项，ClO2-中心原子Cl的孤电子对数为，中心原子Cl的孤电子对数为1，孤电子对之间的斥力>孤电子对与成键电子对之间斥力>成键电子对之间斥力，因此ClO3-键角>ClO2-键角，D错误；故选A。 4． X、Y、Z、W、R属于元素周期表中前20号主族元素，且原子序数依次增小。X和Z的基态原子的2p能级上各有两个未成对电子，W与Z同族。R的最外层电子数与最内层电子数相等。下列说法正确的是( ) A．简单离子半径：R>W>Z B．简单气态氢化物的热稳定性：W>Z C．元素第一电离能：I1(Y)>I1(Z)>I1(W) D．最高价氯化物对应水化物的酸性：X>W 【答案】A 【解析】X、Y、Z、W、R属于元素周期表中前20号主族元素，且原子序数依次增小，X和Z的基态原子的2p能级上各有两个未成对电子，分别为2p2、2p4，即X为C元素，Z为O，则Y为N元素；W与Z同族，则W为S元素；R的最外层电子数与最内层电子数相等，即最外层电子数为2，且原子序数小于16，则R为Ca元素，由上述分析可知，X、Y、Z、W、R分别为C、N、O、S、Ca元素。A项，S2-、Ca2+的核外电子数均为18，二者核外电子排布相同，但Ca2+的质子数少，对最外层电子数的引力强，电子Ca2+的半径小于S2-， ... ...
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