参考答案 一、单项选择题：共 13 题，每题 3 分，共 39 分。每题只有一个选项最符合题意。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 B C C D A C B A B D C B D 二、非选择题：共 4 题，共 61 分 14. （15 分） （1）B （2 分） （2）2Na+ +6Fe2+ + 3ClO- +4SO42- +3CO32- + 6H2O = 2NaFe3(SO4)2(OH)6↓+ 3CO2↑+ 3Cl-（3 分） （3）C（2 分） 2 （4）① “碱溶”形成的 Co NH 在加入 NaOH“沉钴”时可降低 c( Co2 3 )，利于晶体形成6 （2 分,降低 c( Co2 )即给分） ②温度高利于减少溶解氧，形成 NH3气氛隔绝空气，防止产物被氧化（2 分，溶解氧 1 分， 氨气一分） （5）500 mL CoSO4 溶液中含有 n(CoSO4)=1 mol/L×0.5L=0.5 mol，被氧化后的 n[Co(Ⅲ)]=0.5 0.04 mol mol×8%=0.04 mol，n(N2H4·H2O)= =0.01mol，m(N2H4·H2O)= 0.01mol 50g/mol=0.5g；4 （2 分） （6）顺（2 分） 15 （15 分） （1）硝基、羧基（2 分） （2）CH2(COOCH3)2（或 ）（2 分） （3）取代（1 分） （2 分） （4） （3 分） （5） （5 分） 16 （15 分） （1）①水浴（2 分） ②5.04×103 （3 分） ③反应初始阶段 Ag 浸出速率非常快，一段时间后[Ag(S2O3)2]3-与硫化物反应生成难溶 Ag2S 沉淀。（2 分） （2）①Cu2S+5MnO2+6H2SO4===2CuSO4+5MnSO4+6H2O （2 分） ②分次加入铜萃取剂萃取 1’，分液后，将水溶液蒸发浓缩至有大量晶体析出 1’，在大于 40℃ 条件下趁热过滤 1’，用乙醇洗涤 2-3 次，干燥 1’。 （4 分） （3）较低初始浓度下，SO32-被 O2 氧化，浓度下降，导致 Ag 再析出。 （2 分） 17 （16 分） （1）①4NiOOH+2H2O=4Ni(OH)2 +O2↑（2 分） ②2：1 或 2（2 分） ③将储氢后的混合物溶解于盐酸（盐酸、硫酸或醋酸等非氧化性酸）（3 分） （2）①2CO2+12H++12e-=CH3CH2OH+3H2O（2 分） ②使阴极表面尽可能被 CO2 附着，减少析氢反应的发生（减少氢离子在阴极放电）（2 分） ③13CO2（2 分） ④36（3 分）2025届高三年级12月份化学学科测试试卷 本试卷分选择题和非选择题两部分，全卷满分100分，考试时间75分钟。 注意$项： 1.答题前，考生务必在答题纸姓名栏内写上自己的姓名、考试科目、准考证号等，并用2B铅笔涂写在 答题纸上。 2每小题选出正确答案后，用2B铅笔把答题纸上对应题号的答策标号涂黑。如需改动，用橡皮擦千净 后，再选涂其他答案。不能答在试题卷上。 3.考试结束，将答题纸交回。 可能用到的相对原子质置：H-1 N-14 0-16 C0-59 I卷（选择题共39分） 单项选择题：共13题，每题3分，共39分。每小题只有一个选项最符合题意。 1我国北斗系统组网成功，北斗芯片中的半导体材料为硅。硅在元素周期表中属于 A.s区 Bp区 c.d区 D.ds区 2.反应11P4十60CuS04+96H20=20Cu3P+24HP04十60H2S04可用于处理不慎沾到皮肤上的白磷。下列 说法正确的是 A.P4分子中的键角为10928 B.S2的结构示意图为6 C.H2O的空间构型为V形 D.基态Cu2+的价层电子排布式为3d84s 3.碳酸氢铵是一种常用氮肥，其制备原理为：CO2十O十N3一NHHCO3,下列相关原理、装置及操 作正确的是 稀疏酸 NH,CI(s) 大理石 浓氨水 A.制取C02(g)· B.制取NH(g) C.惻备NH4HCO3(ag) D.获得H4HCO3(S) 阅读下列材料，回答46题： 元素周期表中皿A族元素(sB、13Al、1G、49血等)的单质及其化合物应用广泛。BF3极易水解，生成 HBF4(HBF4是一种强酸)和刚酸HBO)。高温下A12O3和过量焦炭在氟气的氛图中获得ACL5。已知Ga与 Al的性质相似，Ga微量分散于铝土矿中，在一定条件下Ga和NH可以制得GaN。GaN誉为第三代半导 体材料，具有硬度大、熔点高的特点。已知GN成能结构与金刚石相似，其晶胞结构如下。已知： GaN、GaP、GaAs的熔，点高，且熔融状态均不导电。 4.下列化学反应表示正确的是 A.Ga和NH合成氮化 ... ...
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