章末测评验收卷(一) 安培力与洛伦兹力(满分:100分) 一、单项选择题(本题共6小题,每小题4分,共24分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的。) 1.三块相同的蹄形磁铁并列放置,可以认为磁极间的磁场是均匀的。将一根直导线悬挂在磁铁两极间(如图),分别将“2、3”和“1、4”接到电源上,两次通过直导线的电流相同,这一操作探究的是 ( ) 电流大小对安培力的影响 磁感应强度方向对安培力的影响 磁感应强度大小对安培力的影响 通电导线长度对安培力的影响 2.如图所示,电子枪射出的电子束进入示波管,在示波管正下方有竖直放置的通电环形导线,则示波管中的电子束将 ( ) 向下偏转 向上偏转 向纸外偏转 向纸里偏转 3.一U形磁铁用轻质柔软细绳悬挂在天花板上,静止在如图所示的位置时绳中的张力大小为T,现突然在其正下方的导线中通以向左的电流,U形磁铁可绕轻绳自由旋转,从上往下看,下列说法正确的是 ( ) 磁铁顺时针旋转,且T会变小 磁铁逆时针旋转,且T会变小 磁铁顺时针旋转,且T会变大 磁铁逆时针旋转,且T会变大 4.如图所示,用两根轻弹簧把金属杆PN水平悬挂起来,放入方向竖直向下的匀强磁场中使其处于静止状态。当杆中通过由P向N的电流时,在安培力作用下金属杆开始运动的方向是 ( ) 竖直向上 竖直向下 垂直纸面向里 垂直纸面向外 5.一对平行金属板中存在匀强电场和匀强磁场,其中电场的方向与金属板垂直,磁场的方向与金属板平行且垂直纸面向里,如图所示。一氕核H)以速度v0自O点沿中轴线射入,恰沿中轴线做匀速直线运动。下列粒子分别自O点沿中轴线射入,能够做匀速直线运动的是 ( ) 以速度2v0射入的氘核H) 以速度9v0射入的氚核H) 以速度v0射入的氚核H) 以速度v0射入的电子e) 6.现代质谱仪可用来分析比质子重很多倍的离子,其示意图如图所示,其中加速电压恒定,磁场的磁感应强度为B,质子在入口处从静止开始被电场加速,经匀强磁场偏转后从出口离开磁场,若换作α粒子(α粒子带正电,其电荷量为质子的2倍,质量为质子的4倍)在入口处从静止开始被同一电场加速,为使它经匀强磁场偏转后仍从同一出口离开磁场,需将磁感应强度变为 ( ) B B 2B B 二、多项选择题(本题共4小题,每小题6分,共24分。在每小题给出的四个选项中,有多项符合题目要求。全部选对的得6分,选对但不全的得3分,有选错的得0分。) 7.如图所示,圆形区域内有垂直纸面向里的匀强磁场,三个质量和电荷量都相同的带电粒子a、b、c,以不同的速率对准圆心O沿着AO方向射入磁场,运动轨迹如图所示,其中∠AOa=90°,∠AOb=120°,∠AOc=150°。若带电粒子只受磁场力的作用,则下列说法正确的是 ( ) 三个粒子都带正电 b粒子的速率是a粒子速率的倍 a粒子在磁场中的运动时间最短 三个粒子在磁场中运动的时间之比为3∶4∶5 8.在芯片制造过程中,离子注入是一道重要的工序。如图所示,从离子源发出的离子经电场加速后沿水平方向进入速度选择器,然后进入磁分析器,磁分析器是中心线半径为R的四分之一圆环,其两端中心位置M和N处各有一个小孔,利用磁分析器选择出特定比荷的离子后打在硅片(未画出)上完成离子注入。已知速度选择器和磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B、方向均垂直纸面向外;速度选择器中匀强电场的电场强度大小为E。则 ( ) 速度选择器中,电场强度的方向竖直向下 从磁分析器射出的离子,一定带负电荷 从磁分析器射出的离子,其比荷为 从磁分析器射出的离子,其速度大小为 9.如图甲所示,空间存在竖直向上的匀强磁场和匀强电场,磁感应强度为B、电场强度为E,质量为m的带电小球在场中恰好处于静止状态。如图乙所示,现将匀强磁场方向顺时针旋转90°,同时给小球一个垂直磁场方向向下的速度v,关于小球之后的运动,下列说法正确的是 ( ) 甲 乙 小球 ... ...
~~ 您好，已阅读到文档的结尾了 ~~
