第3章 不同聚集状态的物质与性质复习提升

本章复习提升 易混易错练 易错点1　晶体类型判断错误导致比较晶体的 性质时出错 1.下列物质性质递变规律正确的是(　　) A.Na、K、Cs的熔点依次升高 B.HCl、H2S、PH3的稳定性依次减弱 C.H2CO3、H2SiO3、H2SO4的酸性依次增强 D.单晶硅、CsCl、干冰的熔点依次升高 2.下列比较正确的是(　　) A.化学键的键能由大到小:金刚石>碳化硅>硅 B.熔、沸点由高到低:氯化钠>氧化镁>金刚石>二氧化碳 C.硬度由大到小:C60>碳化硅>铁>氯化钠 D.共价键的极性由强到弱:H—I>H—Br>H—Cl 易错点2　晶体结构判断错误导致计算出错 3.TiO2通过氮掺杂得到TiO2-aNb,结构如图所示。已知原子1、2的分数坐标分别为(0,0,)、(1,0,0),设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是　(　　) A.原子3的分数坐标为(1,1,) B.TiO2的密度为 g/cm3 C.TiO2-aNb晶体中a= D.TiO2-aNb晶体中b= 4.有关晶体的结构如图所示,下列说法中不正确的是(　　) A.在NaCl晶体中,距Na+最近的Cl-有6个 B.上述气态团簇分子的分子式为EF或FE C.在CaF2晶体中,每个晶胞平均占有4个C D.在金刚石晶体中,碳原子与碳碳键个数之比为1∶2 5.Mg2Si具有反萤石结构,其晶胞结构如图所示,晶胞棱长为0.635 nm。下列叙述错误的是(　　) A.Si的配位数为8 B.紧邻的两个Mg原子的距离为 nm C.紧邻的两个Si原子间的距离为 nm D.Mg2Si晶体的密度为 g·cm-3 思想方法练 利用建模思想解答晶胞中的相关计算问题 方法概述 　　有关晶胞计算类试题,可以将晶胞中原子“质点”化,构成立体模型,根据模型确定晶胞结构,推算物质化学式,再进一步计算密度、微粒间的距离等。此类试题中常见的计算: (1)化学式:利用“切割法”计算一个晶胞中所含组成微粒的个数。 (2)晶体的密度:ρ=。式中ρ为晶体的密度,V为一个晶胞的体积,M为构成晶胞微粒的摩尔质量,N为晶胞所含微粒个数,NA为阿伏加德罗常数。 (3)微粒间的距离:分析晶胞构成及晶胞几何构型中各线性关系求算,若立方体晶胞的边长是a,则面对角线长是a,体对角线长是a。 1.高压不仅会引发物质的相变,还会导致新类型化学键的形成。如图所示,M、N、P为Na与FeCl2在50 GPa~300 GPa的高压下反应生成的不同晶体晶胞,下列说法错误的是(　　) A.M、N、P晶体的化学式分别为NaCl3、Na2Cl、Na3Cl B.晶胞M、N、P中所含Cl原子的个数之比为3∶1∶1 C.晶体M中与Na原子距离最近且等距的Cl原子有12个 D.1号原子的分数坐标为(,,) 2.(不定项)常见的铜的硫化物有CuS和Cu2S两种。已知晶胞中S2-的位置如图1所示,Cu2+、Cu+位于硫离子所构成的四面体中心,它们的晶胞具有相同的侧视图,如图2所示。Cu2S的晶胞参数为a pm,阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是(　　) 图1　　　　　　图2 A.S2-是面心立方最密堆积 B.Cu2S晶胞中,Cu+填充了晶胞中一半四面体空隙 C.CuS晶胞中S2-的配位数为8 D.Cu2S晶体的密度为 g·cm-3 3.铁与镁组成的储氢合金的立方晶胞结构如图所示。铁原子位于顶点和面心的位置,镁原子位于将晶胞平分为8个立方单位的体心位置。下列说法正确的是(　　) A.铁原子的配位数为4 B.a位置原子的分数坐标为(0.25,0.75,0.75) C.铁原子与镁原子间最短距离为b nm D.晶体储氢时,H2在晶胞的体心和棱的中心位置。若储氢后化学式为FeMg2H,则储氢率为100% 4.Li、Fe、Se可形成新型超导材料,晶胞如图所示(Fe原子均位于面上)。晶胞棱边夹角均为90°,X的原子分数坐标为(0,1,),Y的原子分数坐标为(,,),设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是(　　) 已知:以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子分数坐标。 A.基态Fe原子的核外电子排布式为[Ar]3d54s2 B.原子分数坐标为(,1,)的是Li原子 C.Se原子X与Se原子Y之间的距离为 nm D.该晶体的密度为 g·cm-3 5.(不定项)(易错题)氮与锂形 ... ...