河南省信阳市淮滨县滨城高级中学2025-2026学年高二上学期10月月考 化学试题（含解析）

《2025-2026学年度上期10月月考》高二化学参考答案 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 B D A D A B A B C C 题号 11 12 13 14 答案 A C D B 1．B 【详解】A．实验室制氨气的反应为氯化铵固体与熟石灰共热反应生成氯化钙、氨气和水，该反应不是在水溶液进行的离子反应，不能用离子方程式表示，A错误； B．硅酸钠溶液与少量二氧化碳反应生成硅酸沉淀和碳酸钠，反应的离子方程式为 ，B正确； C．次氯酸的酸性弱于碳酸，但强于碳酸氢根离子，所以少量二氧化碳与次氯酸钠溶液反应生成碳酸氢钠和次氯酸，反应的离子方程式为，C错误； D．二氧化硫具有还原性，能与具有强氧化性的次氯酸钠溶液发生氧化还原反应，正确的离子方程式为：SO2+3ClO-+H2O=+2HClO+Cl-，D错误； 故选B。 2．D 【详解】A．风能、水能、地热能、潮汐能均为可再生能源，因地制宜开发合理，A正确； B．氢燃料燃烧产物是水，不产生CO2，有助于减少碳排放，B正确； C．风能和太阳能属于可再生能源，C正确； D．太阳能、风能、核能的利用不依赖化学反应（如太阳能通过光电效应，核能通过核反应），因此，并非所有能源都是通过化学反应获得的，D错误； 答案选D。 3．A 【详解】A．Ba(OH)2·8H2O(s)与氯化铵(s)为吸热反应，生成物总能量高于反应物总能量，A正确； B．酒精燃烧是放热反应，反应物总能量高于生成物总能量，B错误； C．强酸强碱的中和反应为放热反应，反应物总能量高于生成物总能量，C错误； D．SO2催化氧化生成SO3是放热反应，反应物总能量高于生成物总能量，D错误； 故选A。 4．D 【详解】A．与过量溶液反应生成，而不是生成沉淀，第一步转化不成立，A错误； B．盐酸酸性比亚硫酸强，与溶液不反应，第二步转化不成立，B错误； C．与溶液不直接反应，无法生成，第二步转化不成立，C错误； D．酸性强于碳酸，碳酸强于硅酸，故与反应生成，与硅酸钠溶液反应生成沉淀，D正确； 故选D。 5．A 【详解】A．工业制取高纯硅的步骤为：SiO2与焦炭高温生成粗硅，粗硅与HCl反应生成SiHCl3，再与H2高温还原得到纯硅，所有步骤均符合实际工业流程，A正确； B．工业制硝酸中，NH3催化氧化应生成NO而非NO2，后续步骤需NO进一步氧化为NO2，NO2再与水反应，B错误； C．工业制硫酸时，黄铁矿（FeS2）燃烧应生成SO2而非S，后续步骤需SO2催化氧化为SO3，再用98.3%的浓硫酸吸收SO3，C错误； D．海水提取镁时，电解MgCl2溶液无法得到金属镁，需电解熔融MgCl2，D错误； 答案选A。 6．B 【详解】A．醋酸是弱酸，在离子方程式中应保留分子形式，不能拆写为H ，正确写法应为，A错误； B．Cl2与OH 在常温下反应生成Cl 、ClO 和H2O，方程式配平且电荷守恒，符合漂白液制备反应，B正确； C．常温下铁在浓硝酸中钝化，反应产物复杂，一般不要求写具体的化学方程式，C错误； D．过量SO2与OH 反应生成而非，正确方程式为，D错误； 故选B。 7．A 【详解】A．ClO2具有强氧化性，能氧化甲醛，Ａ正确； B．单晶硅用作半导体材料是因为其导电性介于导体和绝缘体之间，而与空间网状结构无关，B错误； C．氨气作制冷剂因易液化，汽化时吸热，与其溶解性无关，C错误； D．SO2的杀菌抗氧化作用基于其还原性，而非毒性，D错误； 故答案选A。 8．B 【详解】A．单质硅具有良好的半导体性能，可用作芯片，A正确； B．SiC（碳化硅）属于新型陶瓷，铝基复合材料是金属基体与增强体的结合，不属于硅酸盐，B错误； C．六方与立方金刚石均为碳元素的不同晶型，互为同素异形体，C正确； D．硅基半导体利用了单质硅的半导体性能，光纤材料主要成分为SiO2， D正确； 答案选B。 9．C 【详解】A．未说明22.4L溴是否处于标准状况，无法确定其物质的量，因此不能计算Br 失去的电子数，A错误； B．在酸性条件下具有强氧 ... ...