3.1物质的聚集状态与晶体的常识同步练习 2024-2025学年高二化学人教版（2019）选择性必修2（含答案）

中小学教育资源及组卷应用平台 3.1物质的聚集状态与晶体的常识 学校:_____姓名：_____班级：_____考号：_____ 一、单选题 1．化学图示能简洁地传递许多信息。下列图示表示正确的是 A．分子中正电中心和负电中心分布 B．细胞和细胞器的双分子膜 C．中心离子为杂化的 D．非晶态和晶态粉末X射线衍射图谱的对比 A．A B．B C．C D．D 2．化合物A被广泛用于聚合催化和开环催化中(其结构如图)。已知X、Y、Z、M、W为原子序数依次增大的前20号元素，其中X、W位于同一主族，Y、M原子的最外层电子数相同，下列说法一定正确的是 A．电负性： B．氢化物的沸点： C．该化合物中Z不满足8电子稳定结构 D．Y形成的单质可能是共价晶体，也可能是分子晶体 3．利用反应可实现人工合成金刚石。已知、钠的晶胞如图所示： 下列关于该反应的说法错误的是 A．C(金刚石)属于共价晶体 B．晶胞中有2个钠原子 C．的杂化方式是杂化 D．晶体中每个周围有8个 4．下列说法不正确的是 A．利用超分子的分子识别特征可以分离和 B．聚乙炔可用于制备导电高分子材料 C．等离子体和离子液体中的粒子全是带电荷的离子 D．用射线衍射实验区别晶体与非晶体 5．下列说法中的不正确是 A．在NaCl晶体中，距Na+最近的Cl-形成正八面体 B．在CaF2晶体中，每个晶胞平均占有4个Ca2+ C．在CO2晶体中，每个CO2周围等距且紧邻的CO2有12个 D．冰中的每个水分子均摊4个氢键 6．砷化镓(GaAs)的晶胞结构如图甲所示。将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料，其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是 A．图甲中，Ga位于As原子构成的正四面体空隙中 B．图甲中，Ga-As的键长为a pm，则晶胞边长为 C．基态As原子的价电子排布式4s24p3 D．稀磁性半导体材料中，Mn、As的原子个数比为1∶2 7．有关晶体的结构如图所示，下列说法中错误的是 A．在NaCl晶体中，处于形成的八面体空隙中 B．在晶体中，的配位数为8 C．在金刚石晶体中，平均1摩尔碳原子形成2摩尔碳碳键 D．该气态团簇分子的分子式为EF或FE 8．稀磁半导体的立方晶胞结构如图甲所示，已知晶胞边长为，a点原子的分数坐标为，阿伏加德罗常数的值为。下列说法正确的是 A．该晶体中，每个Li原子周围紧邻且距离相等的Zn原子共有4个 B．b点原子的分数坐标为 C．晶胞x轴方向的投影图为 D．该晶体的密度为 9．观察下列模型并结合有关信息，判断有关说法正确的是 物质 硼晶体结构单元 SF6分子 S8 HCN 结构模型示意图 备注 熔点 1873K — 易溶于CS2 — A．单质硼属于共价晶体 B．SF6是由极性键构成的极性分子 C．固态硫S8属于共价晶体 D．HCN的结构式为H=C=N 10．下列各组物质中，化学键类型相同，晶体类型也相同的是 A．C(金刚石)和 B．和 C．和 D．和 11．氮化镓属于第三代半导体材料，晶体结构与金刚石相似，其晶胞结构如图所示。已知晶胞参数为pnm，a点原子分数坐标是(0，0，0)。下列说法正确的是 A．晶胞中镓原子的配位数为12 B．相邻两个N原子的最短距离为 C．晶胞中b点原子分数坐标为() D．电负性： 12．可用作荧光粉的基质、光导体材料。其晶胞如图所示： 下列说法错误的是 A．晶胞中的配位数为4 B．垂直于晶胞对角面(平面)的投影为 C．晶胞中甲的原子分数坐标为，则乙的原子分数坐标为 D．晶胞棱长为，则晶体的摩尔体积 13．几种离子晶体的晶胞如图所示，则下列说法正确的是 A．熔沸点：NaCl